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超导体MgB 的晶核形成及生长过程研究_晶核生长-论文网

时间:2013-11-23  作者:佚名
随着温度的升高,粉粒振动加剧,晶核生长区会有更多的镁和硼原子,原子运动加剧,这有利于提高初始晶核结合概率和晶核生长速率。因此,温度较高时晶粒较大。这一推论与文献[11]中的试验结论一致。初始晶核形成以后,如果不是与另一初始晶核相遇,而是与硼原子不断相遇,并且反应温度有利于形成硼原子之间的化学结合键,则有可能形成MgB和MgB等其它多硼化物。因此,MgB和MgB除了来源于高温下MgB分解以外,在MgB晶核生长过程中,也可能由初始晶核生成MgB和MgB等。硼的原子半径和原子质量皆比镁的小很多,温度升高时运动更加剧烈,B-B相遇机会增加。因此,高温时有利于MgB和MgB等的形成,这一推论与文献[14-15]中的实验结果基本一致。如果硼的比例大于化学计量比,B-B相遇机率曾大,也有利于MgB和MgB的形成,这一推论与文献[16]中的计算相图一致。文献[17]中MgB晶粒螺旋式和台阶式两种生长方式可借助MgB晶核生长模式予以解释。

4.结论

利用杂化轨道理论、前线分子轨道理论和粉末反应理论,研究了MgB晶核的形成及晶核生长过程。这一过程可分为三步,1.两种粉粒相互接触,挤压在一起发生相位相反的强迫微幅振动,使得两种原子从其表面脱出,产生MgB晶核的形成和生长区;2.首先是两个硼原子相遇,价电子发生sp杂化,形成B,镁原子从B的空π轨道正号一侧与其相遇,镁的两个价电子填满π轨道,形成π键,生成MgB,此即为MgB初始晶核。3.当两个初始晶核以含有镁离子的一面与不含镁离子的一面相遇时,由于静电吸引结合在一起,形成晶核沿c轴的生长;当两个初始晶核以相同的杂化轨道平面方向,沿a轴,以外露的杂化轨道“头对头”相遇重叠时,构成σ键,形成晶核沿a轴的生长。晶核生长过程中镁离子在其周围电子电场作用下偏离原来的位置,最终处于两层硼的六角中心位置,π键演化成共轭大键。沿a轴和c轴以相等的碰撞接触概率和生长速率同时进行,最终形成MgB单晶晶粒。

这种晶核的形成及生长过程,只是一种定性的分析,还有许多地方需要做进一步的计算和试验检验。

参考文献
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