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化学溶液法制备Bi-2212超导厚膜及表征_烧结温度

时间:2012-12-12  作者:王三胜,范留彬,张丽

论文导读::但是在Bi-2212超导相结晶生长过程中。以超导转变温度Tc为依据。烧结温度和固相温度等。可以较为明显减少第二相。
论文关键词:Bi-2212,超导转变温度,烧结温度,第二相
 

1、引 言

在柔性衬底上制备的Bi-2212超导厚膜在高场低温下具有高的临界电流密度、可塑性好、易加工成材等特点,具有广阔的应用前景。但是在Bi-2212超导相结晶生长过程中,熔体在生长前沿的成分将会改变,会出现不同超导体交互生长的现象,同时这一体系中,其它化合物也有可能随同超导相结晶析出,增加了Bi系超导体组份与相关系的复杂性,因此要生长完整性、均匀性比较好的Bi-2212相是比较困难的[1]。这也是本工作研究的重点。

传统的制备Bi-2212超导厚膜的方法有离子束溅射法[2]、微波磁控溅射法、射频磁控溅射法[3]、化学喷雾淀积法等。本课题采用化学溶液方法溶解前驱超导粉体制备Bi-2212超导厚膜。这种方法的最大优势就是低成本、而且有利于在复杂曲面上制备大面积超导厚膜[4]。我们对制备Bi-2212高温超导膜的热处理工艺流程做了系统的实验和分析。包括溶液配置,衬底选取,涂层厚度,匀胶机转速,烧结温度和固相温度等。对制备出的样品进行R-T曲线,SEM烧结温度,XRD等多方面测量,分析。最终优化工艺流程制备出高质量Bi-2212超导厚膜。

2、实验及讨论

2.1所用Bi系超导粉的比较

本论文选用的是德国的Merck粉和某国内粉杂志网。用扫描电镜观察其两种前驱粉颗粒的大小,下面四幅SEM图分别是研磨前的Merck粉(图1(a))、研磨后的Merck粉(图1(b))、研磨前的某国内粉(图1(c))、研磨后的某国内粉(图1(d))。可以看出,国内的粉体无论是研磨前还是研磨后,晶粒直径明显较Merck粉大。表1给出的是Merck粉和国内粉晶粒的大小比较。研磨后的Merck粉,晶粒平均直径小于1微米,而国内粉体研磨后晶粒直径只达到Merck粉研磨前水平。我们实验中发现机械研磨不仅有助于晶粒细化,对于最终超导膜的生长和晶粒连接性也有重要影响。

超导转变温度超导转变温度

(a)(b)

超导转变温度

(c) (d)

到了关重要的。通过系统的实验,我们层数,我们以制备出科技图1 研磨前(a)、研磨后(b)的Merck粉以及研磨前(c)、研磨后(d)的国内粉

表1Merck粉和国内粉晶粒的大小比较

前驱粉 平均晶粒大小

研磨前的Merck粉 3.60

研磨后的Merck粉 0.67

研磨前的某国内粉 6.36

研磨后的某国内粉 3.44

2.2前驱溶液的配置

本课题选用无水乙醇为溶剂[5],少量聚乙二醇为分散剂。司班20(Span20)做稳定剂。将无水乙醇、聚乙烯二醇、Span、Bi系前驱粉按一定的质量比配置前驱溶液。

2.3热处理工艺

由于Bi系超导体体系中元素较多,如果在烧结过程中控制不好工艺参数,就会在系统中生成杂相区[6]。本课题组针对热处理工艺对超导特性的影响也做了系统的研究,包括最高烧结温度、固相温度、升温速度、降温速度等因素[7][8]。图2(a)展示了局部熔融烧结的步骤。分别以885℃,890℃,895℃为最高烧结温度制备样品,保持Tmax的温度45min,然后缓慢的降到固相温度,在固相温度保温30h,最后自然冷却到室温。

(a) (b)

图2(a)局部熔融烧结步骤,(b)Tconset随Tmax的变化曲线

为了找到最佳烧结温度,以超导转变温度Tc为依据。做一组比较实验,用同一批同条件下涂膜的样品分别在上述不同的Tmax下局部熔融烧结,得到这组样品R-T曲线测试结果的超导转变点与相对应的局部熔融烧结Tmax之间的关系如图2(b)所示[9]。图中的虚线为Tconset随Tmax的变化曲线,Tmax为890℃样品的平均超导转变温度最高,但由曲线的变化趋势看Tc最高点应该在890℃附近烧结温度,进一步缩小最高烧结温度变化范围进行实验,找到了最佳的烧结温度为888℃。

(a)(b)

图3烧结温度分别为(a)890℃和(b)895℃的样品XRD图谱图中○(Bi-2201),●(Bi-2212),△ (Bi-freephase),□(Cu-free phase)

图3是不同Tmax烧制出样品的XRD 图谱,通过图3可以发现Tmax为890℃的样品中有Bi-2212相和少量Bi-2201相,而Tmax为895℃的样品还明显的存在第二相(Sr8.5Ca5.5Cu24Ox,Bi9Sr11Ca5Oy)峰。说明Tmax稍高的话会产生较多的第二项[9]

 

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